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问题1
| 问 | 看到了一个$GAN$和$SIC$相比有什么优势呢？什么时候能普及，什么时候能普及。 |
|---|---|
| 答 | $GAN$是完全没有反应恢复电流的。$sic$是有的,它更容易实现。更高的电压但是它同样会有反应恢复。但是这个反向恢复可以忽略。 另外$GAN$没有体二极管，解决了续流问题，此问题在全桥和半桥中很常见，这就是我们为什么要留死需时间的。 |
问题2
| 问 | 看到了一个$GAN$的反向恢复可以忽略到什么程度 |
|---|---|
| 答 | 到和低压MOS管差不多 |
问题3
| 问 | 然后请问氮化镓半导体与硅半导体的主要差别 |
|---|---|
| 答 | 硅半导体这个领域就比较大了，因为它包括三极管。三极管也是电流型的。 首先，$GAN$开通阈值，电压阈值非常的低。比三极管高一点点，三极管为$0.7V$，那$GAN$要1V到2V，此外$GAN$的驱动电压不要大于7V。 |
问题4
| 问 | EMI和SIC方面的注意事项 |
|---|---|
| 答 | SIC的体二极管问题，这个体二极管直接会影响EMI。但是这这不是唯一区别，比如说用什么拓扑，或者用多高的频率。但是磁芯能不能承受这么高的频率？ |
问题5
| 问 | GAN的驱动信号走线注意事项 |
|---|---|
| 答 | 核心就是电流回路。我们要让它的驱动电路的电流回路尽量的短，因为它本身就是一个电流型的驱动。 |
问题6
| 问 | GAN与传统的mos有什么样的差异 |
|---|---|
| 答 | 首先我们不用去关心它的反向恢复 |
问题7
| 问 | GAN与IGBT有什么样的差异 |
|---|---|
| 答 | IGBT主要在低频。高频中，IGBT要大幅度的降额，50%以上的降额都有可能。 |
问题8
| 问 | 氮化镓效率高的原因是什么？ |
|---|---|
| 答 | 因为它的节电容很小，它的开关速度快。 |
问题9
| 问 | GAN最高频率 |
|---|---|
| 答 | 可以到1G频率了，贝尔实验室的报告。 |
问题10
| 问 | GAN的GS之间的等效电路 |
|---|---|
| 答 | 把它理解为一个三开门，可以关断，可以正导通，可以负导通。mos要么开，要么关，关了之后有个体二极管。他反向电流会从体二极管走。但是GAN的话，没有体二极管。 |
